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      LCD液晶屏所用透明導電玻璃是指在普通玻璃的—個表面鍍有透明導電膜的玻璃。最早的透明導電膜的商品名為NESA膜，它是為制造防止飛機舷窗結凍和制造監(jiān)視加熱液體內部反應情況的透明反應管而研制的，它的成分是SnO₂。但SnO₂透明導膜不易刻蝕。現在采甩的ITO(1ndiumTin Oxide氧化銦錫)的成分是In₂O₃和SnO₂，ITO膜是在In₂O₃的晶核中摻人高價Sn的陽離予，摻雜的量以Sn的含量為10％重量比最佳。ITO是一種半導體透明導電材料、禁帶寬度為3eV以上，具有兩個施主能級，為n型施主能級，離導帶很近，自由電子密度=10²⁰~10²¹個/cm³；遷移率為10—30 cm³/v.s。所以電阻率很低，可低至l0^-4Ω.cm量級。

   用Sn⁺⁴離子占據晶格中In⁺³離子的位置，會形成一個正1價電荷中心和1個多余的價電子,這個價電子掙脫了束縛便成為導電電子。

一般的玻璃材料為鈉鈣玻璃，這種玻璃襯底與ITO之間要求有1層SiO₂阻擋層，似阻擋玻璃中的鈉離子滲透。因ITO膜生產過程中，玻璃襯底處于150'℃~300℃溫度下，如果玻璃中的鈉離子擴散進入ITO膜中，形成受主能級，對施主起補償作用,引起導電性能下降。如果玻璃村底為無鈉硼硅玻璃；，則可不用SiO₂阻擋層。對于某些高檔產晶的制造，有時需在ITO外層加1層SiO₂層，這是為了增加橫向的絕緣性。

在玻璃襯底上制備透明導電膜的方法有噴霧法、涂覆法、浸漬法、真空蒸發(fā)法、濺射法等多種。目前大生產中主要用直流磁控濺射法，氣功以穩(wěn)定，膜的質量好，但靶材料利用率只有25％-30％。現在已開發(fā)出使用交流電源驅動磁場移動的方法，可使靶材料利用率增至 40％左右。

    濺射靶材過去用高純銦錫合金，其比例為Sn／(In+Sn)=8％~13％，合金熔點為173℃。現在直接采用氧化銦錫靶鍍膜工藝，但ITO靶比銦錫合金靶貴得多，目前還是靠進口-的。